8.12.2011
Micron и IBM планируют совершить революцию на рынке оперативной памяти, приступив к коммерческому производству первых 3D-чипов в ближайшие 2 года. Ожидается, что новая память обеспечит 10-кратный прирост скорости. В ближайшие два года, компании Micron и IBM планируют совершить прорыв на рынке оперативной памяти для компьютера. Как заявили представители этих двух компаний, новая память сможет обеспечить скорость в 10 раз превышающую уже существующую. В официальном сообщении компании Micron Technology говорить о том, что в планы компании входит коммерческое производство многослойных чипов памяти DRAM, и они будут работать минимум в десять раз быстрее, нежели сегодняшние современные платы, сделанные по сегодняшним технологиям. В частности здесь имеются в ввиду полупроводниковые элементы Micron Hybrid Memory Cube (HMC), состоящие из нескольких чипов которые наложены друг на друга и соединены вертикальными перемычками. Способ объединения отдельных чипов в куб, был заимствован у корпорации IBM.
Такая технология, может обеспечить пропускную способность не в 12,8 ГБ/с а гораздо больше 128 ГБ/с. И это увеличение в десять раз будет обеспечено новым производительным элементом компьютерной памяти с интерфейсом DDR3. Помимо этого память Micron HMC потребляет электроэнергии на 70% меньше, чем ее предшественница и в 10 раз занимает меньше пространства в расчете на единицу емкости, так позиционируют свое изобретение производители. Если верить их официальным заявлениям, то выпуск модулей памяти будет осуществлять на современном заводе IBM в г. Ист. Фишкилл, штат Нью-Йорк, США. Основой для производства модуля, станет 32 технологическая норма, с использованием транзисторов с металлическими затворами и диэлектриком с повышенной диэлектрической проницаемостью, так называемая технология High-K Metal Gate.
